Las EDO DRAM realizan mejoras en la temporización de los accesos a memoria. Se permite solapar la lectura del driver de datos por parte del controlador de memoria con el direccionamiento de la siguiente columna en los accesos en modo burst. Es decir, se puede comenzar un nuevo acceso sin que todavía haya finalizado el anterior. Se pueden conseguir rendimientos similares a los de una memoria entrelazada sin necesidad de tener dos bancos de memoria. Con esta técnica se consiguen memorias 5-2-2-2.
La siguiente tecnología, la BEDO DRAM, permite devolver directamente los cuatro valores que vienen determinados por la dirección de fila y columna especificadas (ese valor en concreto y los tres siguientes).
Hasta este punto todas las tecnologías eran asíncronas, es decir, utilizan sus propias señales de sincronización para realizar los accesos a memoria. Pero la utilización de estas señales introduce bastante latencia.
Por este motivo la siguiente mejora que se introdujo en las memorias fue convertirlas en síncronas, utilizando para ello el reloj de la placa base. Al no utilizar señales propias de sincronización, las memorias pueden funcionar en modo 5-1-1-1. Las primeras memorias de este tipo fueron las SDRAM (Synchronous DRAM) y a partir de este tipo de memoria, todas han sido síncronas.
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