RAM estática vs RAM dinámica

En alguna ocasión me habéis preguntado por la diferencia entre una memoria RAM estática (SRAM) y una memoria RAM dinámica (DRAM), ya que os habéis encontrado con estos términos en las especificaciones de un sistema. Intentaré aclararlo en esta entrada con conceptos muy sencillos.

Las memorias RAM (Random Access Memory) son aquéllas que permiten acceder a una posición aleatoria de la memoria para leer o escribir en ella sin necesidad de acceder previamente a todas las anteriores. Es decir, se puede indexar directamente la fila y la columna en la que está almacenada la información a la que se desea acceder ya que los datos se almacenan en estas memorias en forma de matriz.

La diferencia entre una RAM estática y una RAM dinámica está en la tecnología que se utiliza para construirla. En una RAM estática son necesarios 6 transistores para almacenar 1 bit de información, mientras que en una RAM dinámica son necesarios 1 transistor y 1 condensador. Es decir, mucha menos lógica, por eso en el mismo área de una DRAM cabe más información que en una SRAM.

Entonces, ¿por qué se utiliza la tecnología SRAM?. Principalmente por dos motivos. Al estar fabricada sólo con transistores, se puede integrar en el mismo chip que un procesador, por ejemplo, construido también sólo con transistores.

Pero, el principal motivo es que es una memoria mucho más rápida que la DRAM ya que no necesita ciclos de refresco. La información almacenada en una celda SRAM no se pierde con el tiempo, sin embargo, la almacenada en una celda DRAM sí, ya que el condensador se descarga con el tiempo. Esto obliga a invertir tiempo en leer lo que está almacenado en la memoria antes de que los condensadores se descarguen y a reeescribirlo para que la información no se pierda (refresco), lo que ralentiza el funcionamiento de la memoria.

Para que tengáis un ejemplo que os resulte familiar, en las jerarquías de memoria que incorporan los PCs y los portátiles, se utiliza SRAM para la memoria caché (integrada con el procesador, pequeña y muy rápida) y DRAM para la memoria principal (en otro circuito externo, de mayor capacidad y más lenta).
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